NTB52N10T4G دیتاشیت

NTB52N10

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت NTB52N10
حجم فایل 121.424 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 8

مشاهده دیتاشیت NTB52N10

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • Manufacturer: ON Semiconductor
  • Series: -
  • Packaging: Cut Tape (CT)
  • Part Status: Obsolete
  • FET Type: N-Channel
  • Technology: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 26A, 10V
  • Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3150pF @ 25V
  • FET Feature: -
  • Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 178W (Tc)
  • Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Mounting Type: Surface Mount
  • Supplier Device Package: D2PAK
  • Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Base Part Number: NTB52
  • detail: N-Channel 100V 52A (Tc) 2W (Ta), 178W (Tc) Surface Mount D2PAK

محصولات مشابه